矽光子晶圓級測試系統 SiPh Wafer Level Test System

功能
‧SiPh晶片設計驗證
‧學術及實驗室研究
‧量產測試及品質控制

主要特點
‧高可靠度奈米等級的對位耦合精度
‧半自動化光學耦合與對位測試
‧多種測量功能可用於 O-O、O-E、E-O 和 E-E 的設備配置

Sku: SiPh Wafer Level Test System

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更新日期：2025.04.10

工作站特色

工作站	功能	主要特點
SiPh晶片測試	‧SiPh晶片設計驗證 ‧學術及實驗室研究 ‧量產測試及品質控制	‧高可靠度奈米等級的對位耦合精度 ‧半自動化光學耦合與對位測試 ‧多種測量功能可用於 O-O、O-E、E-O 和E-E 的設備配置

主要設備

設備	關鍵參數
精細定位	‧X/Y/Z 軸解析度 2nm ‧X/Y/Z 軸重複定位精度 5nm

設定規範

類別	項目	規格參數
設備尺寸及動力	輸入電力	220V 50/60Hz
	壓縮空氣	壓縮空氣量>500PM; 供氣系統壓力0.4MPa~0.8MPa
	真空設備	真空泵保證真空度-53 ~ -100kPa以上
	環境要求	溫度: 22 ±2 °C ;相對濕度: 60% @22°C; 無塵室等級: Class 10k
	尺寸要求	1660mm×1610mm×1550mm
	設備重量	1500kg
設備安規	產品安全防護	產品接觸接地處理
	ESD防護	離子風機除靜電
	軟件防護	防呆設計
	設備防護	設備軸程限位+距離感測，防碰撞
	操作員安全防護	護目鏡
運動與定位系統 (粗略定位)	控制軸數	雙6軸
	工件夾持方式	氣動夾爪、真空吸嘴固定
	解析度 XYZ驅動形式	±0.05μm 步進電機+螺桿
	XYZ運動行程	±15mm
	最大運動速度	15mm/s
運動與定位系統 (精細定位)	控制軸向	XYZ
	解析度	2nm
	雙向重複性(10%移動範圍)	5nm
對準系統	掃描時間-螺旋區域10 µm	<0.5s
	掃描時間-梯度±5 µm	<0.3s
	重複性	0.02 dB
Z軸距感測系統	感應範圍	2.4mm
Z軸距感測系統	解析度	24nm
顯微鏡運動系統	運動行程	XY軸 50mm; Z軸 127mm
	解析度	1μm
	重複性	±3μm
探針台系統 (XYZ平台)	運動行程	X軸350mm; Y軸 365mm; Z軸 20mm
	解析度	0.1μm
	重複性	±1μm
	精度	±2μm
探針台系統 (Theta平台)	運動行程	±10°
	解析度	0.0001°
	重複性	0.0005°
	精度	0.001°
晶片卡盤	直徑	310mm
	表面平整度	±10μm
	支援待測物尺寸	single DUT ,2 ,4, 6 ,8 ,12 inch
溫控系統	溫度可控範圍	建議使用範圍 -40°C 至 100°C, 最高可至300°C
溫控系統	升降溫速率	升溫: -40°C to 25°C < 30 min; 25°C to 300°C < 50 min 降溫: 300°C to 25°C < 60min; 25°C to -40°C <60 min

矽光子晶圓級測試系統 SiPh Wafer Level Test System

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